如何使过饱和的氯化氢气体析出

    高纯氯化氢是集成电路生产中硅片蚀刻，钝化和外延等工艺的重要材料，也可用于金属冶炼，光导通讯和科学研究等领域。随着大规模集成电路的发展，对氯化氢纯度的要求越来越高，对其中杂质的含量要求越来越苛刻，尤其要求严格限制碳氢化合物和碳氧化合物的含量，以防止硅片加工过程中c的形成。国内外对于制备高纯氯化氢的方法有很多。

    20世纪70年代以前电子工业用高纯氯化氢的制备一直是将浓硫酸滴加到浓盐酸中，将其中的水吸收掉，使过饱和的氯化氢气体析出 。20世纪8O年代以后制备方法发展到用浓硫酸与焙烘干的氯化钾反应，生成高纯氯化氢气体，用压缩机压入钢瓶中。即曼海姆法硫酸钾联产氯化氢气体日。此种方法生产的氯化氢气体纯度在99．9％(质量分数)以上。

    为了测定在吸饱HCl-H2O件下的耐酸性，曾使样品吸HCl-H2O饱和后，用塑料袋密封放置多天，再生后再测其吸水性能，吸水量仍未下降。其耐酸性能良好。A型分子筛耐酸性能差，吸附性能大幅度下降。JMT型干燥剂是一种含硅铝比的丝光沸石型分子筛，具有良好的热稳定性，除在300℃前有一脱水而引起明显吸热峰外，在900℃前无明显的分解峰，说明其晶格具有优良的稳定性。

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